发明名称 |
一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该晶体硅太阳能电池由下至上依次包括Ag背电极、Al背电场、SiNx层、AlOx层、P型硅、N+层、减反膜和Ag正电极,还包括设置在P型硅和N+层间的第二掺Ga层、设置在AlOx层和P型硅间的第一掺Ga层;所述SiNx层和AlOx层上分别设有均匀分布的激光槽,所述Al背电场穿过均匀分布的激光槽与第一掺Ga层接触。本实用新型通过在P型硅和N+层间、在AlOx层和P型硅间分别设置掺Ga层,可以大大提高背钝化电池的效率稳定性,降低光衰减率。 |
申请公布号 |
CN205428953U |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201620089448.X |
申请日期 |
2016.01.29 |
申请人 |
广东爱康太阳能科技有限公司 |
发明人 |
石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 |
代理人 |
张伶俐 |
主权项 |
一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池,该晶体硅太阳能电池由下至上依次包括Ag背电极(1)、Al背电场(2)、SiNx层(3)、AlOx层(4)、P型硅(5)、N+层(6)、减反膜(7)和Ag正电极(8),其特征在于:还包括设置在P型硅(5)和N+层(6)间的第二掺Ga层(9)、设置在AlOx层(4)和P型硅(5)间的第一掺Ga层(10);所述SiNx层(3)和AlOx层(4)上分别设有均匀分布的激光槽,所述Al背电场(2)穿过均匀分布的激光槽与第一掺Ga层(10)接触。 |
地址 |
528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号 |