| 发明名称 | 形成于半导体衬底中的存储器单元、存储器单元的群组及存储器电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种形成于半导体衬底中的存储器单元、存储器单元的群组及存储器电路，该存储器单元包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN205428927U | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201520749262.8 | 申请日期 | 2015.09.24 |
| 申请人 | 意法半导体(鲁塞)公司 | 发明人 | A·雷尼耶;J-M·米拉贝尔;S·尼埃尔;F·拉罗萨 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;吕世磊 |
| 主权项 | 一种形成于半导体衬底(SUB)中的存储器单元，其特征在于，包括：在所述衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与所述衬底隔离的选择栅极(SGC)；在所述衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与所述衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；以及在所述浮置栅极(FG)上方延伸的水平控制栅极(CG)，其特征在于，所述选择栅极(SGC)覆盖所述浮置栅极(FG)的侧面，所述浮置栅极仅通过所述第一栅极氧化物层(D3)与所述选择栅极隔开，并且仅通过所述第二栅极氧化物层(D1)与在所述衬底(SUB)中沿所述选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。 | ||
| 地址 | 法国鲁塞 | ||