等离子体沉积源和用于沉积薄膜的方法

摘要

本发明描述了用于在真空腔室内将沉积气转变成等离子体相并且用于通过该等离子体相在沿基底输送方向移动的基底上沉积薄膜的等离子体沉积源，该等离子体沉积源包括多区域电极设备和RF功率生成器，该多区域电极设备适于配置在该真空腔室中并且包括被配置为与移动基底相对的至少一个RF电极；该RF功率生成器适于向该RF电极供应RF功率。该RF电极具有被配置在该RF电极的一个边缘处的至少一个气体入口和被配置在该RF电极的相对边缘处的至少一个气体出口。归一化等离子体容积由被界定在电极表面与相对基底位置之间的等离子体容积除以电极长度来提供。该归一化等离子体容积被调整到沉积气的耗尽长度。

主权项

一种适于在真空腔室中将沉积气转变成等离子体相并且适于通过所述等离子体相在沿基底输送方向移动的基底上沉积薄膜的等离子体沉积源，所述等离子体沉积源包括：多区域电极设备，所述多区域电极设备适于配置在所述真空腔室中，所述多区域电极设备包括至少一个RF电极，所述电极具有与所述基底输送方向平行的电极宽度和与所述基底输送方向垂直的电极长度，并且所述电极被配置为与所述移动基底相对，其中归一化等离子体容积由被界定在电极表面与相对基底位置之间的等离子体容积除以所述电极长度来提供，并且其中所述归一化等离子体容积被调整到所述沉积气的消耗分布；以及RF功率生成器，所述RF功率生成器适于向所述RF电极供应RF功率，其中所述RF电极具有至少一个气体入口和至少一个气体出口，所述至少一个气体入口被配置在所述RF电极的一个边缘处，所述至少一个气体出口被配置在所述RF电极的相对边缘处，其中与所述基底输送方向平行的所述RF电极的所述电极宽度小于所述沉积气的所述消耗分布的临界耗尽长度，所述临界耗尽长度被定义在所述沉积气的最大摩尔分数的约10％处，以及其中所述归一化等离子体容积在5cm²与50cm²之间的范围内。