| 发明名称 | 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法，本方法可在基板上直接成长高质量和晶圆规格的薄膜层(例如石墨烯层)，无需额外的转移制程。 | ||
| 申请公布号 | CN102849961B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201110189082.5 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 中央研究院 | 发明人 | 李连忠;苏清源;卢昂佑;吴至彧;刘耕谷 |
| 分类号 | C03C17/22(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种在基板上直接成长石墨烯层的方法，包括以下步骤：在基板上形成铜薄膜；在300℃至1200℃范围内的温度下，在所述铜薄膜上沉积碳来源；经由晶界扩散使碳来源通过所述铜薄膜；和在所述铜薄膜和所述基板之间的界面处形成石墨烯层；其中所述铜薄膜是经图案化的，並且具有在10nm至1μm范围内的厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市南港区研究院路2段128号 | ||