半导体器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：在工件的沟槽内形成电容器，电容器包括底部电极、设置在底部电极上方的介电层和设置在介电层上方的顶部电极。保护层形成在电容器的上方。形成电容器和形成保护层包括：优化沟槽的宽度、底部电极的厚度、介电层的厚度、顶部电极的厚度和保护层的厚度中的至少一个，使得保护层完全覆盖顶部电极。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件中的沟槽内形成电容器，所述电容器包括：底部电极，所述沟槽的侧壁上的所述底部电极的顶面部分与所述工件的顶面共面；介电层，设置在所述底部电极和所述工件的顶面的上方；和顶部电极，设置在所述介电层上方；以及在所述电容器的上方形成保护层，且所述顶部电极和所述保护层上方存在间隙，其中，形成所述电容器和形成所述保护层包括优化所述沟槽的宽度、所述底部电极的厚度、所述介电层的厚度、所述顶部电极的厚度和所述保护层的厚度中的至少一个，使得所述保护层完全覆盖所述顶部电极，其中，优化包括使用等式2：等式2：w＞2×(a+b+c+d)；其中，w是邻近所述工件的顶面的所述沟槽的宽度，a是所述底部电极的厚度，b是所述介电层的厚度，c是所述顶部电极的厚度，以及d是邻近所述工件的顶面的所述保护层的厚度；其中，利用光刻胶图案化所述保护层，所述顶部电极和所述介电层，其中图案化的所述顶部电极，图案化的所述介电层和所述底部电极构成所述电容器。