发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底上依次形成缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层;以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀所述第一绝缘层、缓冲层和衬底,在所述衬底、缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层中形成凹槽;在所述凹槽中填充电极材料层,至覆盖所述硬掩膜层表面;对所述电极材料层和硬掩膜层进行化学机械研磨,去除及硬掩膜层上的电极材料层,剩余的位于凹槽中的电极材料层形成电极层。本发明先在所述凹槽中填充电极材料层,再对电极材料层和硬掩膜层进行化学机械研磨。化学机械研磨基本不会对所述缓冲层造成影响。在形成所述电极层之后,缓冲层依然保持较好的形貌,使本发明所形成的半导体电容器具有较好的性能。 | ||
申请公布号 | CN105826333A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
申请号 | CN201510012082.6 | 申请日期 | 2015.01.09 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈政;丁敬秀;包德君;王伟 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
主权项 | 一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上依次形成缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层;以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀所述第一绝缘层、缓冲层和衬底,在所述衬底、缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层中形成凹槽;在所述凹槽中填充电极材料层,至覆盖所述硬掩膜层表面;对所述电极材料层和硬掩膜层进行化学机械研磨,去除硬掩膜层上的电极材料层,剩余的位于凹槽中的电极材料层用于形成电极层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |