发明名称 HEATING PLATE WITH PLANAR HEATER ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
摘要 반도체 플라즈마 프로세싱 장치 내의 기판 지지 어셈블리용 가열판은, 스케일가능한 멀리플렉싱 레이아웃으로 배열된 다중의 독립적으로 제어가능한 평탄한 히터존들, 및 그 평탄한 히터존들을 독립적으로 제어하고 전력공급하기 위한 전자장치를 포함한다. 가열판이 통합되는 기판 지지 어셈블리는 정전 클램핑 전극 및 온도 제어된 베이스 플레이트를 포함한다. 가열판을 제작하는 방법은 평탄한 히터존들, 전력 공급 라인들, 전력 복귀 라인들 및 비아들을 갖는 세라믹 또는 폴리머 시트들을 함께 본딩하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20160092035(A) 申请公布日期 2016.08.03
申请号 KR20167020062 申请日期 2010.10.20
申请人 LAM RESEARCH CORPORATION 发明人 SINGH HARMEET;GAFF KEITH;BENJAMIN NEIL;COMENDANT KEITH
分类号 H01L21/683;H05B3/20 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人
主权项
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