| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 防止通过激光修整切断后的熔丝元件由于具有导电性的残留物等而漏电。作为用于此的方案，在外延基板的主面上的槽内的元件分离区域上形成熔丝元件的情况下，在元件分离区域与熔丝元件之间形成导热率高且比较而言密合性低的绝缘膜。在进行激光修整以将熔丝元件切断时，将熔丝元件的一部分和熔丝元件的该一部分之下的绝缘膜去除。 | ||
| 申请公布号 | CN105830209A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201480030385.4 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 儿玉荣介 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其中，具有：半导体基板；所述半导体基板上的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；和形成在所述第二绝缘膜上且含硅的导电膜；所述导电膜构成熔丝，所述第二绝缘膜的导热率比所述第一绝缘膜的导热率高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||