一种量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括步骤：A、在ITO基板上旋涂一层非酸性亲油性有机物，然后进行加热退火；B、在所述非酸性亲油性有机物表面旋涂PEDOT:PSS作为空穴注入层，然后进行加热退火；C、在空穴注入层上旋涂一层空穴传输材料作为空穴传输层，然后进行热处理；D、将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，然后进行热处理；E、在量子点表面依次沉积电子传输层和电子注入层；F、在沉积完各功能层的ITO基板上蒸镀阴极。通过本发明，省去了制作过程中紫外氧化处理和氧气等离子处理等工序，简化了工艺步骤。并且能够更好地陷入空穴，增强空穴注入能力，从而提高QLED发光效率。

主权项

一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在ITO基板上旋涂一层非酸性亲油性有机物，然后进行加热退火；B、在所述非酸性亲油性有机物表面旋涂PEDOT:PSS作为空穴注入层，然后进行加热退火；C、在空穴注入层上旋涂一层空穴传输材料作为空穴传输层，然后进行热处理；D、将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，然后进行热处理；E、在量子点表面依次沉积电子传输层和电子注入层；F、在沉积完各功能层的ITO基板上蒸镀阴极。