沉积后的晶片清洁配方

摘要

提供用于从基底的表面清洁金属帽层的腐蚀产物的方法和系统。根据一个实施方式，处理溶液包含表面活性剂、络合剂和pH调节剂。配制所述表面活性剂以增强基底表面的润湿，并抑制所述帽层的进一步腐蚀。配制所述络合剂以与从所述晶片表面解吸的金属离子结合。配置所述pH调节剂以调节pH至所需水平，从而促进所述腐蚀产物从所述基底表面解吸。

主权项

一种用于施加到晶片表面的溶液，所述溶液包含，表面活性剂，所述表面活性剂为两性表面活性剂，配置所述表面活性剂以增强所述晶片表面的润湿，所述表面活性剂在所述溶液中的浓度大约在10ppm至2000ppm的范围内；其中在施加到所述晶片表面期间，将所述溶液维持在pH大约1.8‑1.9；作为络合剂的草酸二水合物；以及作为pH调节剂的次磷酸，配置所述pH调节剂以在施加到所述晶片表面期间使所述溶液的pH降低至大约1.8‑1.9。