降低铝焊垫氟结晶的方法以及半导体器件制作方法

摘要

本发明提出了一种降低铝焊垫氟结晶的方法以及半导体器件制作方法，在钝化层暴露出铝焊垫之后，增加碱性液体对铝焊垫进行清洗，从而能够去除析出的氟元素，避免后续在不良的存储环境中有氟结晶缺陷形成。进一步的，在采用碱性液体对铝焊垫进行清洗的同时通入二氧化碳气体能够避免碱性液体处理时间过久对铝焊垫造成损伤，确保铝焊垫的性能，此外，在使用碱性液体对铝焊垫清洗完成后在24小时以内将晶圆存储在无氟晶盒内，避免含有氟或者含有氟的环境对晶圆造成污染，更进一步的确保铝焊垫不会产生氟结晶缺陷。

主权项

一种降低铝焊垫氟结晶的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层间介质层、铝焊垫及钝化层，所述铝焊垫形成于所述金属层间介质层上，所述钝化层形成于所述金属层间介质层上并暴露所述铝焊垫，所述金属层间介质层中含有氟元素；采用碱性液体对所述铝焊垫进行清洗。