| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干栅极结构；在所述栅极结构侧壁表面形成第一侧墙、位于第一侧墙表面的第二侧墙以及位于第二侧墙表面的第三侧墙；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源漏极；去除所述第三侧墙；在所述源漏极表面和栅极结构顶部表面形成金属化半导体层。所述方法可以提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105826199A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510010053.6 | 申请日期 | 2015.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干栅极结构；在所述栅极结构侧壁表面形成第一侧墙、位于第一侧墙表面的第二侧墙以及位于第二侧墙表面的第三侧墙；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源漏极；去除所述第三侧墙；在所述源漏极表面和栅极结构顶部表面形成金属化半导体层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||