快闪存储器及其形成方法

摘要

一种快闪存储器及其形成方法，其中快闪存储器的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有存储区；在半导体衬底上形成第一栅材料层；对第一栅材料层进行图形化以在存储区形成浮栅，浮栅侧壁与半导体衬底上表面的夹角为钝角；在半导体衬底和浮栅上形成第一栅介质层；在半导体衬底上和第一栅介质层上形成第二栅材料层，第二栅材料层上表面高于浮栅上的第一栅介质层部分上表面；对第二栅材料层进行图形化，以在浮栅上方形成控制栅。本案分别对第一、二栅材料层进行图形化，能够精确控制单层材料的图形化条件。而且，控制栅侧壁与半导体衬底上表面之间夹角为钝角，确保控制栅与浮栅精确对准，避免控制栅伸出至浮栅外而造成存储失效。

主权项

一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储区；在所述半导体衬底上形成第一栅材料层；对所述第一栅材料层进行图形化以在所述存储区形成浮栅，所述浮栅侧壁与半导体衬底上表面的夹角为钝角；在所述半导体衬底和浮栅上形成第一栅介质层；在所述半导体衬底上和第一栅介质层上形成第二栅材料层，所述第二栅材料层上表面高于所述浮栅上的第一栅介质层部分上表面；对所述第二栅材料层进行图形化，以在所述浮栅上方形成控制栅。