| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有堆叠栅极结构，所述堆叠栅极结构包括自下至上依次层叠的浮栅、栅间电介质、控制栅、掩膜层以及缓冲氧化层；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述堆叠栅极结构；对所述多晶硅层进行研磨，以露出所述缓冲氧化层；采用刻蚀工艺去除所述缓冲氧化层；以及对所述多晶硅层进行回刻。采用本发明的制造方法，可以避免研磨残留物或多晶硅残余粘附在所述控制栅上。 | ||
| 申请公布号 | CN105826178A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510006660.5 | 申请日期 | 2015.01.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李敏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有堆叠栅极结构，所述堆叠栅极结构包括自下至上依次层叠的浮栅、栅间电介质、控制栅、掩膜层以及缓冲氧化层；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述堆叠栅极结构；对所述多晶硅层进行研磨，以露出所述缓冲氧化层；采用刻蚀工艺去除所述缓冲氧化层；以及对所述多晶硅层进行回刻。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||