发明名称 一种二维材料场效应晶体管及制备方法
摘要 本发明公开了一种二维材料场效应晶体管及制备方法,属于微电子技术领域。本发明的二维材料场效应晶体管自下而上依次有导电衬底、绝缘介质层、二维材料、金属电极。本发明的制备方法为机械划痕法,即先采用机械剥离法将二维材料转移到绝缘介质层上,然后将绝缘介质层和二维材料整体蒸镀上金属,在显微镜下仔细地操作针尖或刀刃,使其刚好贴住二维材料表面,然后缓慢地移动针尖或刀刃,使其划过二维材料的中部上方,以去除上面的金属,形成沟道。继续移动针尖或刀刃,划出两个金属电极,即源电极和漏电极。该二维材料场效应晶体管的制备方法具有操作简单、无需掩膜、工艺步骤少、制备时间短、效率高、成品率高等优点。
申请公布号 CN105826368A 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201610312907.0 申请日期 2016.05.11
申请人 广东工业大学 发明人 杨亿斌;招瑜;肖也;牟中飞;李京波
分类号 H01L29/772(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01L29/772(2006.01)I
代理机构 广东广信君达律师事务所 44329 代理人 杨晓松
主权项 一种二维材料场效应晶体管,其特征在于,该二维材料场效应晶体管自下而上依次有导电衬底、绝缘介质层、二维材料、金属电极。
地址 510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
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