发明名称 |
一种二维材料场效应晶体管及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二维材料场效应晶体管及制备方法,属于微电子技术领域。本发明的二维材料场效应晶体管自下而上依次有导电衬底、绝缘介质层、二维材料、金属电极。本发明的制备方法为机械划痕法,即先采用机械剥离法将二维材料转移到绝缘介质层上,然后将绝缘介质层和二维材料整体蒸镀上金属,在显微镜下仔细地操作针尖或刀刃,使其刚好贴住二维材料表面,然后缓慢地移动针尖或刀刃,使其划过二维材料的中部上方,以去除上面的金属,形成沟道。继续移动针尖或刀刃,划出两个金属电极,即源电极和漏电极。该二维材料场效应晶体管的制备方法具有操作简单、无需掩膜、工艺步骤少、制备时间短、效率高、成品率高等优点。 |
申请公布号 |
CN105826368A |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201610312907.0 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
广东工业大学 |
发明人 |
杨亿斌;招瑜;肖也;牟中飞;李京波 |
分类号 |
H01L29/772(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01)I |
代理机构 |
广东广信君达律师事务所 44329 |
代理人 |
杨晓松 |
主权项 |
一种二维材料场效应晶体管,其特征在于,该二维材料场效应晶体管自下而上依次有导电衬底、绝缘介质层、二维材料、金属电极。 |
地址 |
510062 广东省广州市越秀区东风东路729号 |