发明名称 |
使用包电平状态值和包状态电路的存储器 |
摘要 |
本发明提供了一种使用包电平状态值和包状态电路的存储器。其中,一种集成电路存储器包含存储器阵列,包含多条数据线。缓冲器结构耦接到多条数据线,包含多个存储元件用以对数据线存储多个位电平状态值。存储器包含逻辑,用以根据缓冲器结构中的存储元件的对应包的多个位的位电平状态值指示对应包的多个包电平状态值。多个包状态电路被设置在菊链中,并耦接到缓冲结构中的对应包,用以产生菊链的输出以指示侦测到具有第一状态的包。控制电路用以执行决定菊链的输出的多个周期,在每一周期中若在周期中的输出指示侦测到具有第一状态的包,则清除指示第一状态的包状态电路。 |
申请公布号 |
CN105810248A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201410840590.9 |
申请日期 |
2014.12.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
卢泓玮;赖韦安;洪硕男;罗棋 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
曹玲柱 |
主权项 |
一种集成电路存储器,其特征在于,包含:一存储器阵列,包含多条数据线;一缓冲器结构,耦接到该些数据线,该缓冲器结构包含多个存储元件用以对该些数据线存储多个位电平状态值;以及一逻辑,用以根据该缓冲器结构中的该些存储元件的对应的多个包的多个位的该些位电平状态值指示对应的该些包的多个包电平状态值;其中该些位电平状态值和该些包位状态值包含一第一状态。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |