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发明名称
METHODS FOR REMOVING PARTICLES FROM ETCHING CHAMBER
摘要
방법이, 건식 식각 챔버 내에 코팅 층을 형성하는 단계, 건식 식각 챔버 내로 웨이퍼를 배치하는 단계, 웨이퍼의 금속-함유 층을 식각하는 단계, 및 건식 식각 챔버의 밖으로 웨이퍼를 이동시키는 단계를 포함한다. 웨이퍼가 건식 식각 챔버 밖으로 이동하게 된 이후에, 코팅 층이 제거된다.
申请公布号
KR101643475(B1)
申请公布日期
2016.07.27
申请号
KR20140181742
申请日期
2014.12.16
申请人
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人
린 유 차오;치우 유안-밍;장 밍-칭;차이 흐신-이;첸 차오-쳉
分类号
H01L21/02;H01L21/3065
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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