| 发明名称 | 半导体盲孔的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率，且阻档层和半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成各个阻档层后，利用带电射线照射多个盲孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103456657B | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201210174269.2 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体盲孔的检测方法，其特征在于，包括：提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出所述导电区的盲孔于所述半导体衬底内；于所述半导体衬底中至少一所述多个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，所述阻档层的电阻率大于所述导电区的电阻率，且所述阻档层和所述半导体衬底间不是欧姆接触；及在形成所述阻档层后，利用带电射线照射所述多个盲孔。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||