发明名称 D/A转换电路、振荡器、电子设备以及移动体
摘要 本发明提供一种D/A转换电路、振荡器、电子设备以及移动体。在D/A转换电路中,具有:多个电阻,被串联连接;多个MOS晶体管,以与多个接头对应的方式而被连接;多个虚设电极,在俯视观察半导体基板时,隔着电阻体而被配置在与多个MOS晶体管中的各个MOS晶体管相反的一侧。虚设电极各自在隔着电阻体而被配置在相反侧的MOS晶体管的栅电极为第一电位时成为第二电位,而在该MOS晶体管的栅电极为第二电位时成为第一电位。
申请公布号 CN105811988A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610028574.9 申请日期 2016.01.15
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 矶崎繁纪
分类号 H03M1/66(2006.01)I 主分类号 H03M1/66(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 苏萌萌;范文萍
主权项 一种D/A转换电路,其包括被形成在半导体基板上的多个电阻、多个金属氧化物半导体晶体管和多个虚设电极,多个所述电阻利用电阻体和被设置在该电阻体上的多个接头而构成,并串联连接,多个所述金属氧化物半导体晶体管与多个所述接头中的各个所述接头分别连接,多个所述虚设电极在俯视观察所述半导体基板时隔着所述电阻体而被配置在与多个所述金属氧化物半导体晶体管中的各个所述金属氧化物半导体晶体管相反的一侧,并且与多个所述金属氧化物半导体晶体管的电极不同,多个所述虚设电极中的各个所述虚设电极在隔着所述电阻体而被配置在相反侧的所述金属氧化物半导体晶体管的栅电极为第一电位时成为第二电位,而在该金属氧化物半导体晶体管的栅电极为第二电位时成为第一电位,所述第一电位和第二电位中的一个为使所述金属氧化物半导体晶体管导通的电位,而另一个为不使所述金属氧化物半导体晶体管导通的电位。
地址 日本东京