一种SiC薄膜制备装置以及在低真空度下制备SiC薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种SiC薄膜制备装置以及SiC薄膜的制备方法，制备装置包括CVD反应炉和前驱体炉，CVD反应炉内部设置有加热台，侧壁开设有两个石英窗，外部对应两个石英窗分别设置有激光发射器和高温计，CVD反应炉顶部进气口通过喷嘴和管路分别连接至氩气源和前驱体炉，且与氩气源连接的管路上设置有控制阀Ⅰ，与前驱体炉连接的管路上设置有控制阀Ⅱ。制备SiC薄膜的方法：(1)、SiC膜制备前清洗准备工作；(2)、SiC膜制备前设备调整工作；(3)、SiC膜制备及制备后的调整。本发明制备SiC薄膜的方法，其薄膜的生长速率高，所需的真空度要求低，同时沉积温度较常规手段要低，制作成本低，便于推广利用。

主权项

一种SiC薄膜制备装置，其特征在于：包括CVD反应炉（1）和前驱体炉（2），CVD反应炉（1）内部设置有用于加热氮化硼基板的加热台（3），CVD反应炉（1）的侧壁开设有两个石英窗（4），CVD反应炉（1）外部对应两个石英窗（4）位置分别设置有激光发射器（5）和高温计（6），CVD反应炉（1）顶部设置有进气口，CVD反应炉（1）底部连接有真空泵（7），CVD反应炉（1）的进气口通过喷嘴和管路分别连接至氩气源（8）和前驱体炉（2），且与氩气源（8）连接的管路上设置有控制阀Ⅰ（9），与前驱体炉（2）连接的管路上设置有控制阀Ⅱ（10）。