| 发明名称 | 一种二维纳米片层MoS<sub>2</sub>垂直结构阻变器件 | ||
| 摘要 | 一种二维纳米片层MoS<sub>2</sub>垂直结构阻变器件，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO<sub>2</sub>保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米片层MoS<sub>2</sub>，各层厚度分别为：Ti粘附层2‑5nm、下电极50‑200nm、二维纳米片层MoS<sub>2</sub>0.65‑10nm、上电极50‑200nm、上电极SiO<sub>2</sub>保护层5‑10nm。本发明的优点是：1)该阻变器件采用二维纳米片层MoS<sub>2</sub>作为阻变存储器的阻变层，扩展了阻变存储器中的介质层材料体系，填补了二维纳米片层MoS<sub>2</sub>在阻变存储器中应用的空白；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，制作简单、成本低廉并且易于集成。 | ||
| 申请公布号 | CN105810817A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610374450.6 | 申请日期 | 2016.05.31 |
| 申请人 | 天津理工大学 | 发明人 | 张楷亮;张志超;王芳;冯玉林;方明旭;袁育杰;赵金石 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 侯力 |
| 主权项 | 一种二维纳米片层MoS<sub>2</sub>垂直结构阻变器件，其特征在于：由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO<sub>2</sub>保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米片层MoS<sub>2</sub>，各层厚度分别为：Ti粘附层2‑5nm、下电极50‑200nm、二维纳米片层MoS<sub>2</sub>0.65‑10nm、上电极50‑200nm、上电极SiO<sub>2</sub>保护层5‑10nm。 | ||
| 地址 | 300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 | ||