发明名称 |
半导体发光元件 |
摘要 |
本发明的实施方式提供一种改善了发光效率的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件具备:半导体层,包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层;电极垫,与所述半导体层相邻而设置;第1电极,一端连接在所述电极垫,从所述电极垫线状地延伸而连接在所述第1半导体层;第2电极,与所述第2半导体层连接;以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层,该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率。所述第1电极随着远离所述电极垫,而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。 |
申请公布号 |
CN105810789A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201610016248.6 |
申请日期 |
2016.01.11 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
三木聪;胜野弘 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
张世俊 |
主权项 |
一种半导体发光元件,其特征在于具备:半导体层,包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层;电极垫,与所述半导体层相邻而设置;第1电极,一端连接在所述电极垫,从所述电极垫延伸而连接在所述第1半导体层;第2电极,与所述第2半导体层连接;以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层,该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率;且所述第1电极随着远离所述电极垫,而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。 |
地址 |
日本东京 |