发明名称 基于c切割晶体制备高功率激光头的方法
摘要 一种基于c切割晶体制备高功率激光头的方法,利用c切割晶体作为增益介质,使得晶体c轴方向与通光方向平行,泵浦光学器件将泵浦源出射的泵浦光汇聚到c切割方式的晶体中心,冷却装置对晶体的侧面进行冷却。本发明的特点是:巧妙利用了c切割方式晶体的材料性质,使得晶体对泵浦光的吸收更加均匀,并对内部废热的承受程度更高,从而使得激光头可以承受更高的泵浦功率,以实现高功率激光头。本发明具有简单易行,实用性强的特点。
申请公布号 CN105811238A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610311325.0 申请日期 2016.05.11
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 林华;梁晓燕
分类号 H01S3/16(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I 主分类号 H01S3/16(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯;张宁展
主权项 一种基于c切割晶体制备高功率激光头的方法,所述的高功率激光头包括c切割方式的晶体(1)、冷却装置(2)、泵浦源(3)和泵浦光学器件(4),其特征在于该方法包括下列步骤:①将所述的c切割方式的晶体(1)固定在所述的冷却装置(2)中使所述的c切割方式的晶体(1)的c轴方向与所述的冷却装置(2)的轴重合;②利用冷却装置对所述的晶体(1)的侧面进行冷却,使热传导的方向和所述的晶体的a轴方向一致;③依次设置所述的泵浦源(3)、泵浦光学器件(4)和所述的冷却装置(2),使所述的泵浦源(3)的输出光方向依次是所述的泵浦光学器件(4)和c切割方式的晶体(1),调整所述的泵浦源(3)、泵浦光学器件(4)和所述的冷却装置(2),经所述的泵浦光学器件(4)后的泵浦光汇聚到所述的c切割方式的晶体(1)的中心区域,且泵浦光的焦点和所述的c切割方式的晶体(1)的入射表面重合;④将所述的c切割方式的晶体(1)、冷却装置(2)、泵浦源(3)和泵浦光学器件(4)固定。
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