发明名称 |
基于c切割晶体制备高功率激光头的方法 |
摘要 |
一种基于c切割晶体制备高功率激光头的方法,利用c切割晶体作为增益介质,使得晶体c轴方向与通光方向平行,泵浦光学器件将泵浦源出射的泵浦光汇聚到c切割方式的晶体中心,冷却装置对晶体的侧面进行冷却。本发明的特点是:巧妙利用了c切割方式晶体的材料性质,使得晶体对泵浦光的吸收更加均匀,并对内部废热的承受程度更高,从而使得激光头可以承受更高的泵浦功率,以实现高功率激光头。本发明具有简单易行,实用性强的特点。 |
申请公布号 |
CN105811238A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201610311325.0 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
林华;梁晓燕 |
分类号 |
H01S3/16(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/16(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
张泽纯;张宁展 |
主权项 |
一种基于c切割晶体制备高功率激光头的方法,所述的高功率激光头包括c切割方式的晶体(1)、冷却装置(2)、泵浦源(3)和泵浦光学器件(4),其特征在于该方法包括下列步骤:①将所述的c切割方式的晶体(1)固定在所述的冷却装置(2)中使所述的c切割方式的晶体(1)的c轴方向与所述的冷却装置(2)的轴重合;②利用冷却装置对所述的晶体(1)的侧面进行冷却,使热传导的方向和所述的晶体的a轴方向一致;③依次设置所述的泵浦源(3)、泵浦光学器件(4)和所述的冷却装置(2),使所述的泵浦源(3)的输出光方向依次是所述的泵浦光学器件(4)和c切割方式的晶体(1),调整所述的泵浦源(3)、泵浦光学器件(4)和所述的冷却装置(2),经所述的泵浦光学器件(4)后的泵浦光汇聚到所述的c切割方式的晶体(1)的中心区域,且泵浦光的焦点和所述的c切割方式的晶体(1)的入射表面重合;④将所述的c切割方式的晶体(1)、冷却装置(2)、泵浦源(3)和泵浦光学器件(4)固定。 |
地址 |
201800 上海市嘉定区上海市800-211邮政信箱 |