发明名称 |
一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法 |
摘要 |
本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法,所述相变存储器至少包括:相变存储单元阵列;写擦驱动模块,与所述相变存储单元阵列相连,用于产生和输出写操作和擦操作电流信号;操作次数比较器,与所述写擦驱动模块相连,用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数,根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系,调整所述写操作和擦操作电流信号。所述相变存储器还包括行译码器、列译码器和读电路模块。本发明通过增加操作次数比较器,监测存储单元的操作条件,实时动态调整操作电流的幅值以及持续时间,从而有效的提高相变存储器的疲劳操作寿命。 |
申请公布号 |
CN105810242A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201610118179.X |
申请日期 |
2016.03.02 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
霍如如;蔡道林;陈一峰;魏宏阳;方红波;卢瑶瑶;宋志棠 |
分类号 |
G11C13/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
唐棉棉 |
主权项 |
一种相变存储器,其特征在于,所述相变存储器至少包括:相变存储单元阵列;写擦驱动模块,与所述相变存储单元阵列相连,用于产生和输出写操作和擦操作电流信号;操作次数比较器,与所述写擦驱动模块相连,用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数,根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系,调整所述写操作和擦操作电流信号。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |