发明名称 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法
摘要 本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法,所述相变存储器至少包括:相变存储单元阵列;写擦驱动模块,与所述相变存储单元阵列相连,用于产生和输出写操作和擦操作电流信号;操作次数比较器,与所述写擦驱动模块相连,用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数,根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系,调整所述写操作和擦操作电流信号。所述相变存储器还包括行译码器、列译码器和读电路模块。本发明通过增加操作次数比较器,监测存储单元的操作条件,实时动态调整操作电流的幅值以及持续时间,从而有效的提高相变存储器的疲劳操作寿命。
申请公布号 CN105810242A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610118179.X 申请日期 2016.03.02
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 霍如如;蔡道林;陈一峰;魏宏阳;方红波;卢瑶瑶;宋志棠
分类号 G11C13/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C13/02(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 唐棉棉
主权项 一种相变存储器,其特征在于,所述相变存储器至少包括:相变存储单元阵列;写擦驱动模块,与所述相变存储单元阵列相连,用于产生和输出写操作和擦操作电流信号;操作次数比较器,与所述写擦驱动模块相连,用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数,根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系,调整所述写操作和擦操作电流信号。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
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