倒装LED芯片的制作方法

摘要

本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。

主权项

倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行干法蚀刻处理，蚀刻时间为10~30s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。