横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括：提供形成有N型埋层、STI、第一N阱以及第一P阱的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；进行热推阱并对高温氧化膜进行光刻和刻蚀，形成迷你氧化层；在第一N阱内形成第二N阱，以及在所述第一N阱和第一P阱内形成第二P阱；在晶圆表面形成栅氧化层和多晶硅栅；光刻并注入N型离子，在第二N阱内、迷你氧化层和与迷你氧化层相邻的STI间形成漏极，同时在第二P阱内形成源极。本发明利用应力较小的HTO来做降低LDMOS表面电场的mini-oxide，有源区边缘不会产生dislocation。通过推阱步骤使得HTO变致密，极大地降低了HTO的湿法腐蚀速率，保证了mini-oxide在后续清洗过程中腐蚀量可得到稳定控制，可用于批量生产。

主权项

一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括步骤：提供形成有N型埋层、N型埋层上的浅槽隔离结构、N型埋层上的第一N阱以及N型埋层上的第一P阱的晶圆；在所述晶圆表面淀积形成高温氧化膜；进行热推阱并对所述高温氧化膜进行光刻和刻蚀，形成迷你氧化层；进行第二N阱和第二P阱的光刻和离子注入从而在所述第一N阱内形成第二N阱，以及在所述第一N阱和第一P阱内形成第二P阱；在所述晶圆表面形成栅氧化层和多晶硅栅；所述栅氧化层和多晶硅栅一端搭接于第一N阱内的第二P阱上，另一端搭接于所述第二N阱上的迷你氧化层上；光刻并注入N型离子，在所述第二N阱内、所述迷你氧化层和与迷你氧化层相邻的浅槽隔离结构间形成漏极，同时在所述第二P阱内形成源极。