金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层步骤三、贴合晶圆开孔并进行贴合步骤四、制备第二绝缘层步骤五、埋孔用导电胶或电镀金属埋入开孔内；步骤六，制备第二金属层步骤七、植球在第二金属层表面进行植球；步骤八、切割切割分成单颗产品。本发明一种金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

主权项

一种金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤三、贴合晶圆开孔并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆对应于表面声滤波芯片晶圆的电极上方的位置进行开孔，然后将已经完成开孔的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，从而在芯片感应区域上方形成空腔；步骤四、制备第二绝缘层用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；步骤五、埋孔用导电胶或电镀金属埋入开孔内；步骤六，制备第二金属层在导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层；步骤七、切割切割分成单颗产品。