一种防止钽电容器阳极晶化的赋能工艺

摘要

本发明提出了一种防止钽电容器阳极晶化的赋能工艺，高压大容量阳极钽芯片在赋能过程中，由于大电流和高电场的作用下，容易出现“热致晶化”和“场致晶化”现象，从而使钽芯片由于“晶化”导致击穿损坏，本发明采用电压分级赋能与不同体系的赋能液相配合，可有效防止阳极“晶化”现象的发生。尤其是在磷酸水溶液中对电压进行分段赋能，然后再在磷酸‑‑‑乙二醇‑‑‑H₂O溶液中进行精细化赋能，可有效防止电子雪崩击穿，稳定氧化膜质量，降低漏电流，同时，在磷酸‑‑‑H₂O溶液与磷酸‑‑‑乙二醇‑‑‑H₂O溶液中添加有机高分子材料，更可提高闪火电压，降低漏电流和损耗。

主权项

一种防止钽电容器阳极晶化的赋能工艺，其特征在于，在赋能液中添加有机高分子物质的同时，采用组合式赋能工艺，首先在磷酸‑‑‑H₂O溶液中对电压进行分段赋能，然后进行热处理，再在磷酸‑‑‑乙二醇‑‑‑H₂O溶液中进行精细化赋能，最后再进行热处理。