基于二氧化硅微球表面的单层印迹聚合物的合成方法

摘要

本发明公开了一种基于二氧化硅微球表面的单层印迹聚合物的合成方法，其特征在于所述方法包含以下步骤：(a)制备二氧化硅纳米微球；(b)对二氧化硅纳米微球进行γ‑MPS改性；(c)使印迹分子化合物与聚合单体在溶剂中形成预聚合溶液；(d)将γ‑MPS改性的二氧化硅纳米微球、交联剂和引发剂加入上述预聚合溶液进行聚合反应，得到含固体聚合物的溶液；(e)过滤、洗涤、干燥得到单层印迹聚合物；其中在步骤(d)中聚合反应采用两个温度阶段进行；第一阶段反应温度在60‑66℃，下强烈搅拌反应4‑7小时；第二阶段搅拌下以1.5‑2℃/分钟的速度将反应温度由60℃逐渐升温至80‑85℃，并在最终下老化4‑6小时。本发明还涉及由所述方法制备的单层印迹聚合物。

主权项

一种基于二氧化硅微球表面的单层印迹聚合物的合成方法，其特征在于所述方法包含以下步骤：(a)制备二氧化硅纳米微球；(b)对二氧化硅纳米微球进行γ‑MPS改性；(c)使印迹分子化合物与聚合单体在溶剂中形成预聚合溶液；(d)将γ‑MPS改性的二氧化硅纳米微球、交联剂和引发剂加入上述预聚合溶液进行聚合反应，得到含固体聚合物的溶液；(e)过滤、洗涤、干燥得到单层印迹聚合物；其中在步骤(d)中聚合反应采用两个温度阶段进行；第一阶段在反应温度60‑66℃，优选60‑63℃下强烈搅拌反应混合物4‑7小时，优选4.5‑6，更优选5‑5.5小时；第二阶段在搅拌下以1.5‑2℃/分钟的速度将反应温度逐渐升温至80‑85℃，并在最终温度下老化4‑6小时，优选4‑5.5小时。