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본 방법은: (Rl)(Rh)TBM의 조성을 가진 소결체를 제조하는 단계; 상기 소결체에 열간 변형 가공을 실시함으로써 전구체를 제조하는 단계; 및 450℃ ~ 700℃ 의 온도 범위에서 상기 전구체에 시효 처리를 실시함으로써 희토류 자석을 제조하는 단계를 포함한다. 상기 방법에서, 상기 주상은 (RlRh)TB 상으로 형성된다. 입자 계면상에서 (RlRh)TB의 함량은 0 질량% 초과 50 질량% 이하이다. Rl 은 경희토류 원소를 나타낸다. Rh 는 중희토류 원소를 나타낸다. T 는 천이 금속을 나타낸다. M 은 Ga, Al, Cu 및 Co 중 적어도 1 종을 나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 R1, Rh, T, B 및 M 의 질량% 를 나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 다음의 식: 27≤x≤44, 0≤y≤10, z=100-x-y-s-t, 0.75≤s≤3.4, 0≤t≤3 으로 나타낸다. |
