| 摘要 |
Интегральная микросхема с диэлектрической изоляцией, содержащая npn транзисторы в n-коллекторном кармане, pnp транзисторы в p-коллекторном кармане, базы, эмиттеры, контакты к транзисторам и металлизацию, образующую межсоединения, отличающаяся тем, что p-коллекторный карман pnp транзистора сформирован методом имплантации и диффузии в n-кармане, а n-база pnp транзистора электрически соединена с n-карманом этого транзистора. |
