| 发明名称 | 一种鳍型场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在体硅上形成多个鳍片晶种；薄化所述鳍片晶种；在所述多个鳍片晶种之间形成隔离区以隔离所述多个鳍片晶种；在所述鳍片晶种和所述隔离区上交替形成多个锗硅层和硅层；进行化学机械研磨处理以露出所述鳍片晶种；除去所述锗硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN103258740B | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201210037667.X | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王文博 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种在体硅上形成高密度鳍型场效应晶体管的方法，包括：在体硅上形成多个鳍片晶种；薄化所述鳍片晶种；在所述多个鳍片晶种之间形成隔离区以隔离所述多个鳍片晶种；在所述鳍片晶种和所述隔离区上交替形成多个锗硅层和硅层；进行化学机械研磨处理以露出所述鳍片晶种；除去所述锗硅层，以形成被隔离区隔离的多个鳍片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||