发明名称 静电传感器
摘要 本发明涉及一种静电传感器,包括一个传感单元和一个控制单元,所述传感单元包括至少一个第一传感元件,以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接,所述至少一第一传感元件为直径小于100纳米的一维半导体纳米结构,当带有静电的物体靠近该第一传感元件时,该第一传感元件的电阻产生变化;该控制单通过导线于所述至少一个第一传感元件电连接,并通过向所述至少一个第一传感元件施加电压后测量该至少一个第一传感元件的电阻并输出电阻的信号。
申请公布号 CN105807971A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201410850761.6 申请日期 2014.12.31
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 王新河;李东琦;王江涛;武文赟;何宇俊;柳鹏;赵清宇;姜开利;范守善
分类号 G06F3/041(2006.01)I 主分类号 G06F3/041(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种静电传感器,包括一个传感单元和一个控制单元,其特征在于:所述传感单元包括至少一个第一传感元件,以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接,所述至少一第一传感元件为一根直径小于100纳米的一维半导体纳米结构,当带有静电的物体靠近该至少一个第一传感元件时,该至少一个第一传感元件的电阻产生变化;该控制单元通过导线与所述至少一个第一传感元件电连接,该控制单元向所述至少一个第一传感元件施加电压,并测量由于带有静电的物体靠近所导致的该至少一个第一传感元件的电阻变化。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室