| 发明名称 | 一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头 | ||
| 摘要 | 本发明涉及内穿式涡流无损检测技术领域，具体公开了一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头。一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头，该探头包括设置在探头骨架上的激励线圈和巨磁阻传感器，其中，巨磁阻传感器位于激励线圈的中心。本发明所述的一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头，用于薄管壁的涡流检测，该探头不仅提高阵列探头对于非铁磁性小管径管道的缺陷的检测灵敏度，扩展探头对于缺陷尺度的检测范围；而且提高阵列探头的抗干扰能力，延长探头的使用周期。 | ||
| 申请公布号 | CN105806933A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201410848911.X | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 中核武汉核电运行技术股份有限公司;核动力运行研究所 | 发明人 | 祁攀;邵文斌;崔洪岩;廖述圣 |
| 分类号 | G01N27/90(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/90(2006.01)I |
| 代理机构 | 核工业专利中心 11007 | 代理人 | 李东斌 |
| 主权项 | 一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头，其特征在于：该探头包括设置在探头骨架(3)上的激励线圈(1)和巨磁阻传感器(2)，其中，巨磁阻传感器(2)位于激励线圈(1)的中心。 | ||
| 地址 | 430223 湖北省武汉市民族大道1021号 | ||