发明名称 | 二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用 | ||
摘要 | 本发明公开了二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用。根据光学取向原理,利用圆偏振光产生一个有效磁场,在有效磁场的作用下,线偏振光的偏振面产生瞬态旋转。该类开关的切换速度达到亚皮秒量级,适用于470nm‑510nm的可见光波长范围,可以承受500μJ/cm<sup>2</sup>强脉冲激光。PbI<sub>2</sub>薄膜材料制备简单,造价低廉,适合大批量开发。薄膜厚度为纳米量级,光斑尺寸为微米量级,无需外加磁场,适合制备小体积全光磁开关并运用到集成光路中。 | ||
申请公布号 | CN105811953A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
申请号 | CN201610251265.8 | 申请日期 | 2016.04.21 |
申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 马红;刘玫;赵丽娜;焦扬;高垣梅 |
分类号 | H03K17/94(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/94(2006.01)I |
代理机构 | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人 | 董洁 |
主权项 | PbI<sub>2</sub>薄膜在制备亚皮秒全光磁开关中的应用。 | ||
地址 | 250014 山东省济南市历下区文化东路88号 |