发明名称 二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用
摘要 本发明公开了二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用。根据光学取向原理,利用圆偏振光产生一个有效磁场,在有效磁场的作用下,线偏振光的偏振面产生瞬态旋转。该类开关的切换速度达到亚皮秒量级,适用于470nm‑510nm的可见光波长范围,可以承受500μJ/cm<sup>2</sup>强脉冲激光。PbI<sub>2</sub>薄膜材料制备简单,造价低廉,适合大批量开发。薄膜厚度为纳米量级,光斑尺寸为微米量级,无需外加磁场,适合制备小体积全光磁开关并运用到集成光路中。
申请公布号 CN105811953A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610251265.8 申请日期 2016.04.21
申请人 山东师范大学 发明人 马红;刘玫;赵丽娜;焦扬;高垣梅
分类号 H03K17/94(2006.01)I 主分类号 H03K17/94(2006.01)I
代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人 董洁
主权项 PbI<sub>2</sub>薄膜在制备亚皮秒全光磁开关中的应用。
地址 250014 山东省济南市历下区文化东路88号