声表面波滤波器晶圆键合封装工艺

摘要

本发明公开了一种声表面波滤波器晶圆键合封装工艺，步骤如下，1）将声表滤波器晶圆切成单颗芯片；2）在硅晶圆基板上涂设胶水，然后将芯片焊盘放在硅晶圆基板上有胶水的位置，使芯片和硅晶圆基板键合在一起；3）硅晶圆基板减薄；4）通过激光打孔将硅晶圆基板背面和芯片的焊盘连通；5）把整个硅晶圆基板的背面全部镀上金属，完成芯片焊盘与硅晶圆基板的电连接；6）电镀增厚并腐蚀形成外部焊盘；7）外部焊盘上生长锡球；8）将整片键合后的晶圆切割成单个器件。本发明可以降低生产成本、缩小封装体积、效率高、减小封装工艺对环境破坏。

主权项

声表面波滤波器晶圆键合封装工艺，其特征在于：操作步骤如下，1）切割：将声表滤波器晶圆切成单颗芯片；2）键合：以硅晶圆作为基板，在硅晶圆基板上与芯片焊盘待键合的地方涂设胶水，胶水厚度为5‑15um；然后将切割后的芯片焊盘放在硅晶圆基板上有胶水的位置，使芯片和硅晶圆基板键合在一起；键合过程在真空或者惰性气体中完成，以避免空气中的水蒸气腐蚀芯片表面；3）硅晶圆基板减薄：利用机械研磨方式使硅晶圆基板减薄，减薄后的硅晶圆基板以利于后续激光打孔；4）激光打孔：通过激光打孔的方法将硅晶圆基板背面和芯片的焊盘连通；5）镀膜：把整个硅晶圆基板的背面全部镀上金属，金属进入通孔中并与芯片焊盘连接起来，从而完成芯片焊盘与硅晶圆基板的电连接；6）电镀增加金属膜厚度，然后腐蚀掉过孔以外的金属，仅保留过孔区域的金属由此形成外部焊盘；7）通过回流焊工艺在外部焊盘上生长锡球；8）将整片键合后的晶圆切割成单个器件。