用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有在第III族氮化物半导体层上并且与所述第III族氮化物半导体层接触的透明电极，所述方法包括以下步骤：在形成所述透明电极之后，在标准大气压或减小的压强下的含氮气氛中通过间接电阻加热和红外线加热中的至少之一进行热处理，以使所述透明电极结晶；以及在含氮气氛中通过微波加热来减少所述半导体层与所述透明电极之间的应变。