| 发明名称 |
N型薄膜晶体管的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底表面形成一半导体碳纳米管层；形成间隔设置的一源极和一漏极，该源极和漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；形成一氧化镁层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；在所述氧化镁层远离所述半导体碳纳米管层的表面形成一功能介质层；以及，在所述功能介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。 |
| 申请公布号 |
CN105810586A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
| 申请号 |
CN201410849258.9 |
申请日期 |
2014.12.31 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
李关红;李群庆;金元浩;范守善 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底表面形成一半导体碳纳米管层；形成间隔设置的一源极和一漏极，该源极和漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；形成一氧化镁层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；在所述氧化镁层远离所述半导体碳纳米管层的表面形成一功能介质层；以及在所述功能介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
