发明名称 一种多孔纳米SnO<sub>2</sub>薄膜气敏材料的制备方法
摘要 本发明涉及SnO<sub>2</sub>薄膜气敏材料的制备,具体提供一种多孔纳米SnO<sub>2</sub>薄膜气敏材料的制备方法,该方法首先对钛片去除表面氧化层并清洗,然后按锡酸钠浓度为5~100g/L、添加剂浓度为0.5~10g/L称取锡酸钠和添加剂,溶于去离子水中配置成电解液;再采用微弧氧化工艺于钛片表面制备得二氧化锡气敏薄膜;最后将二氧化锡气敏薄膜从钛片上剥离。本专利能够制备得具有多孔结构的纳米二氧化锡薄膜材料,其二氧化锡薄膜的厚度、成分、形貌均可通过调节电参数、电解质成分和含量等实现调整,具有好的可控性;制备得SnO<sub>2</sub>颗粒小、纯度高,SnO<sub>2</sub>薄膜材料对乙醇气体表现出较高灵敏度值;且本发明工艺简单、重复性好。
申请公布号 CN105803502A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610137835.0 申请日期 2016.03.11
申请人 电子科技大学 发明人 王超;贺纪桦;梁莹林;杨萍;栾春红;姜晶;杨雄峰
分类号 C25D9/06(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C25D9/06(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 李明光
主权项 一种多孔纳米SnO<sub>2</sub>薄膜气敏材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:将钛片进行打磨抛光去除表面的氧化层,并清洗备用;步骤2:按锡酸钠浓度为5~100g/L、添加剂浓度为0.5~10g/L称取锡酸钠和添加剂,溶于去离子水中配置成电解液;步骤3:将经过步骤1处理的钛片置于装有步骤2配置的电解液的不锈钢槽体中,以钛片为阳极、不锈钢槽体为阴极,采用脉冲式微弧氧化电源供电,在脉冲电压为150~500V、频率为50~2000Hz、占空比为10~50%、电解液温度为20~80℃的条件下氧化1~60min,即在钛片表面制备得二氧化锡气敏薄膜;步骤4:将上述步骤3中制备得二氧化锡气敏薄膜从钛片上机械剥离,即得多孔纳米二氧化锡气敏薄膜材料。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
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