| 发明名称 | 堆叠器件以及相关的布局结构 | ||
| 摘要 | 本发明描述了堆叠器件和通过堆叠器件形成的电路。根据一些实施例，半导体柱从衬底垂直延伸。第一源极/漏极区域在半导体柱中。第一栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第一源极/漏极区域上方。第一栅极介电层夹置在第一栅电极层和半导体柱之间。第二源极/漏极区域在半导体柱中并且垂直位于第一栅电极层上方。第二源极/漏极区域连接至电源节点。第二栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第二源极/漏极区域上方。第二栅极介电层夹置在第二栅电极层和半导体柱之间。第三源极/漏极区域在半导体柱中并且垂直位于第二栅电极层上方。 | ||
| 申请公布号 | CN105810681A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610018400.4 | 申请日期 | 2016.01.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郭大鵬;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;让-皮埃尔·科林格 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种结构，包括：第一半导体柱，从衬底处垂直延伸；第一源极/漏极区域，位于所述第一半导体柱中；第一栅电极层，横向环绕所述第一半导体柱并且垂直位于所述第一源极/漏极区域上方，第一栅极介电层夹置在所述第一栅电极层和所述第一半导体柱之间；第二源极/漏极区域，位于所述第一半导体柱中并且垂直位于所述第一栅电极层上方，所述第二源极/漏极区域连接至电源节点；第二栅电极层，横向环绕所述第一半导体柱并且垂直位于所述第二源极/漏极区域上方，第二栅极介电层夹置在所述第二栅电极层和所述第一半导体柱之间；以及第三源极/漏极区域，位于所述第一半导体柱中并且垂直位于所述第二栅电极层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||