发明名称 | 用于锗和硼离子注入的助气的实施 | ||
摘要 | 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。 | ||
申请公布号 | CN103222029B | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
申请号 | CN201180055553.1 | 申请日期 | 2011.11.17 |
申请人 | 艾克塞利斯科技公司 | 发明人 | 奈尔·卡尔文;谢泽仁 |
分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王旭 |
主权项 | 一种用于提高离子注入器中的离子源的性能和延长所述离子源的寿命的离子注入系统,所述离子注入系统包括:离子源组件,所述离子源组件包括掺杂气控制器、助气控制器以及离子源室,所述掺杂气控制器适应于操作上控制含氟掺杂气至离子源室中的速率和流动,并且所述助气控制器适应于在所述离子注入系统的操作过程中操作上控制助气至离子源室中的速率和流动,其中所述助气与所述含氟掺杂气反应;束线组件,所述束线组件从所述离子源接收离子束并且处理所述离子束;以及标靶位置,所述标靶位置从所述束线组件接收所述离子束;其中所述助气至所述离子源室中的速率和流动的操作控制通过以下方式预定:确定在不使用所述助气的情况下传递所需的离子束电流的配比,并且之后渐增地引入所述助气流动,直到离子束电流开始降低。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |