| 发明名称 | 静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，该静电释放组件具有主被动、对等双向流通、快速释放与中和ESD电流等特性。该静电释放组件包括设置在衬底基板上的半导体层、绝缘层、第一辅助电极、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置；其中，所述第一电极和所述第二电极与所述半导体层均接触；所述第一电极或所述第二电极与所述第一辅助电极接触；所述第一辅助电极、所述半导体层、以及所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层。用于释放与中和静电。 | ||
| 申请公布号 | CN105810677A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610321379.5 | 申请日期 | 2016.05.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 发明人 | 刘振定;潘晓东;胡志明;南春香 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种静电释放组件，其特征在于，包括设置在衬底基板上的半导体层、绝缘层、第一辅助电极、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置；其中，所述第一电极和所述第二电极与所述半导体层均接触；所述第一电极或所述第二电极与所述第一辅助电极接触；所述第一辅助电极、所述半导体层、以及所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||