METHOD FOR THE OPTICAL CHARACTERIZATION OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD

摘要

본 발명은 광전 반도체 물질(1)의 전체 영역의 광학적 특성화를 위한 방법에 관한 것으로, 상기 반도체 물질은 다수의 광전 반도체 칩의 제조를 위해 제공되고, 반도체 물질(1)의 특성 파장을 제공하는 밴드폭을 가지며, 상기 방법은 하기 단계들, 즉 A) 반도체 물질(1) 내에 전자-홀 쌍의 형성을 위해 반도체 물질(1)의 특성 파장보다 작은 여기 파장을 갖는 광(20)으로 광전 반도체 물질(1)의 주 표면(11)의 전체 영역을 조사하는 단계; B) 반도체 물질(1)의 주 표면(11)으로부터 전자-홀 쌍의 재결합에 의해 방출된 특성 파장을 갖는 재결합 복사선(30)의 전체 영역을 검출하는 단계를 포함한다. 또한 본 발명은 방법을 실시하기 위한 장치(100)에 관한 것이다.