| 发明名称 | 对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器。本申请描述了利用PMOS晶体管作为存取晶体管的MRAM单元的实施例。MRAM单元被配置为减轻施加不对称电流负荷以使MRAM单元的磁性隧道结在磁阻状态之间转变的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN105810234A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610159520.6 | 申请日期 | 2011.12.09 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | A.奈伊 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;刘春元 |
| 主权项 | 一种衬底，包括：第一掺杂区域，包括p型掺杂剂的多子；第二掺杂区域，在所述衬底中包括n型掺杂剂的多子；第三掺杂区域，在所述衬底中包括p型掺杂剂的多子，所述第二掺杂区域被设置在所述第一掺杂区域和所述第三掺杂区域之间；以及磁性隧道结，与所述第三掺杂区域电通信。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||