发明名称 | 方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器及其制备方法 | ||
摘要 | 方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器及其制备方法,涉及传感器。方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器设有方形石墨烯增强SiCN陶瓷的非晶态温敏元件,在方形石墨烯增强SiCN陶瓷的表面上设有两个直径相等的小孔用于连接铂丝并形成温度传感器。制备方法:制备非晶态石墨烯增强SiCN陶瓷温敏元件;制备圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷,制备方形非晶态石墨烯增强SiCN陶瓷温敏元件。利用石墨烯优异的半导体特性来增强SiCN陶瓷的半导体性质,并将其制备成有源无线温度传感器。所用原材料来源广泛,易获取。传感器的制备方法、条件均较简单。所制备的传感器可以在高温、高湿、腐蚀性和高辐射等极端恶劣的环境下稳定使用。 | ||
申请公布号 | CN105801152A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
申请号 | CN201610099958.X | 申请日期 | 2016.02.24 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 余煜玺;黄奇凡;罗珂 |
分类号 | C04B35/80(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/80(2006.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器,其特征在于设有方形石墨烯增强SiCN陶瓷的非晶态温敏元件,在方形石墨烯增强SiCN陶瓷的表面上设有两个直径相等的小孔用于连接铂丝并形成温度传感器。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |