一种3D NAND闪存结构和制作方法

摘要

本发明公开了一种3D NAND闪存结构和制作方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，并在所述衬底上形成多个阵列串单元，所述阵列串单元通过隔离沟槽隔离；所述阵列串单元包括多晶硅、多晶硅介质层，以及多个堆叠的第一材料层和第二材料层，所述多晶硅介质层形成于所述多晶硅的内部，所述第二材料层形成于相邻的第一材料层之间；湿法刻蚀去除所述多个阵列串单元中的第二材料层，形成多个第一凹陷；在所述隔离沟槽的内壁和第一凹陷内壁依次形成栅极阻挡层，黏附层，以及栅极层，所述栅极层填充满所述第一凹陷；退火处理所述栅极层，并湿法刻蚀去除位于多个所述第一凹陷以外的所述栅极层，以及所述黏附层，以实现有效去除3D NAND闪存侧壁以及表面的栅极层。

主权项

一种3D NAND闪存结构制作方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，并在所述衬底上形成多个阵列串单元，所述阵列串单元通过隔离沟槽隔离；所述阵列串单元包括多晶硅、多晶硅介质层，以及多个堆叠的第一材料层和第二材料层，所述多晶硅介质层形成于所述多晶硅的内部，所述第二材料层形成于相邻的第一材料层之间；湿法刻蚀去除所述多个阵列串单元中的第二材料层，形成多个第一凹陷；在所述隔离沟槽的内壁和第一凹陷内壁依次形成栅极阻挡层，黏附层，以及栅极层，所述栅极层填充满所述第一凹陷；退火处理所述栅极层，并湿法刻蚀去除位于多个所述第一凹陷以外的所述栅极层，以及所述黏附层。