| 发明名称 | 整流装置、交流发电机以及电力转换装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供防止振荡且防止由噪声施加时的误动作而导致贯通电流流过的自主型同步整流MOSFET的整流装置。整流装置(132)具备：进行同步整流的整流MOSFET(101)；判定电路(103)，其输入整流MOSFET(101)的一对正极主端子TH与负极主端子TL间的电压，并根据输入的电压判定整流MOSFET(101)的导通/截止；以及栅极驱动电路(105)，其根据判定电路(103)的比较信号Vcomp进行整流MOSFET(101)的栅极的导通/截止，且构成为导通整流MOSFET(101)时栅极电压Vgs的升压所需的时间比截止整流MOSFET(101)时栅极电压Vgs的降压所需的时间长。 | ||
| 申请公布号 | CN105814786A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201480067727.X | 申请日期 | 2014.12.12 |
| 申请人 | 株式会社日立功率半导体 | 发明人 | 石丸哲也;恩田航平;坂野顺一;森睦宏 |
| 分类号 | H02M7/21(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I;H02M7/12(2006.01)I | 主分类号 | H02M7/21(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 曾贤伟;范胜杰 |
| 主权项 | 一种整流装置，其特征在于，具备：进行同步整流的整流MOSFET；判定电路，其输入上述整流MOSFET的一对主端子间的电压，并根据所输入的上述一对主端子间的电压来判定上述整流MOSFET的导通/截止；以及栅极驱动电路，其根据上述判定电路的判定结果进行上述整流MOSFET的栅极的导通/截止，该栅极驱动电路构成为导通上述整流MOSFET时栅极电压的升压所需的时间比截止上述整流MOSFET时栅极电压的降压所需的时间长。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||