垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法

摘要

一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件，以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片，从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层，从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘，其中，第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

主权项

一种半导体器件，包括：背照式(BSI)图像传感器芯片，包括：第一半导体衬底；图像传感器，设置在所述第一半导体衬底的正面上；以及位于所述第一半导体衬底的正面上的第一互连结构，包括多个金属层；器件芯片，与所述图像传感器芯片接合，其中，所述器件芯片包括：第二半导体衬底；有源器件，位于所述第二半导体衬底的正面上；以及位于所述第二半导体衬底的正面上的第二互连结构，包括多个金属层；穿透背照式图像传感器芯片的第一通孔，与位于所述第二互连结构中的第一金属焊盘连接；穿透所述第一互连结构中的介电层的第二通孔，与位于所述第一互连结构中的第二金属焊盘连接，其中，所述第一通孔和所述第二通孔电连接；接触所述第一通孔和所述第二通孔的第三金属焊盘，其中所述第三金属焊盘与所述第一半导体衬底的一部分处于同一层；第四金属焊盘，位于所述第一互连结构中；以及引线接合焊盘，与所述第三金属焊盘处于同一层，其中，所述引线接合焊盘与所述第四金属焊盘电连接。