发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法。本发明的目的在于通过在模制过程中抑制树脂毛刺的生成来改进半导体器件的可靠性和生产率。在模制模具中,设置在下模具腔体块的背表面侧上的每个上推栓的末梢表面、和下模具腔体块的背表面的与每个上推栓的末梢表面接触的部分,按照至下模具腔体块的顶表面的距离朝着供应模制树脂的罐体侧变长的方式倾斜。因此,当下模具腔体块返回到初始位置时,下模具腔体块在略微朝着罐体块侧移动的同时被升高。由此,在罐体块的侧表面与下模具腔体块的侧表面之间无间隙形成。
申请公布号 CN105810594A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201510959061.5 申请日期 2015.12.18
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 原田晴彦
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 李辉
主权项 一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:(a)准备模制模具,所述模制模具包括具有上模具腔体块的上模具、具有下模具腔体块和上推栓的下模具、以及具有供应树脂的罐体的罐体块;(b)准备被安装在基板的上表面之上的半导体芯片;(c)将所述基板布置在所述下模具腔体块的表面之上;(d)将所述基板夹持在所述上模具与所述下模具之间,从而使得所述半导体芯片位于所述上模具腔体块的上模具腔体中;(e)将所述树脂从所述罐体块的所述罐体供应到所述上模具腔体中,以用树脂来密封所述半导体芯片;以及(f)挤压所述上推栓,使其抵靠与所述下模具腔体块的所述表面相对的所述背表面,以使在所述步骤(d)中下沉的所述下模具腔体块返回到初始位置,其中每个上推栓的末梢表面、以及所述下模具腔体块的所述背表面的与每个上推栓的所述末梢表面接触的部分,按照至所述下模具腔体块的所述表面的距离朝着所述罐体侧变长的方式倾斜。
地址 日本东京都