| 发明名称 | 一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的金属下电极层、下耐击穿子层、钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、上耐击穿子层以及金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na<sub>0.85</sub>K<sub>0.15</sub>)<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>Ti<sub>(1‑x)</sub>Sc<sub>x</sub>O<sub>3</sub>，0<x≤0.4。本发明还公开了该薄膜电容器的制备方法。本发明日工的薄膜电容器，其介电常数高，储能量大，温度稳定性好。 | ||
| 申请公布号 | CN105810435A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610230760.0 | 申请日期 | 2016.04.13 |
| 申请人 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 发明人 | 王文庆 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I;H01G13/00(2013.01)I;C04B35/462(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 连平 |
| 主权项 | 一种耐高压高储能薄膜电容器，其特征在于，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的金属下电极层、下耐击穿子层、钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、上耐击穿子层以及金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na<sub>0.85</sub>K<sub>0.15</sub>)<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>Ti<sub>(1‑x)</sub>Sc<sub>x</sub>O<sub>3</sub>，0<x≤0.4。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 | ||